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Applications spécifiques des capteurs pour la photonique et l'imagerie. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications) Droits d'accès : non autorisé
Description : Lorsqu'un objet est placé dans le faisceau d'une diode Laser, une partie du faisceau réfléchi par ce dernier est rétro-injecté dans la cavité active de la diode et en perturbe les propriétés physiques. Cette perturbation qui se traduit principalement par une modification de la fréquence et de la pui ...
Date : 15-10-2007
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Applications spécifiques des capteurs pour la photonique et l'imagerie. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications)
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Fundamentals of Semiconductor physics. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications) Droits d'accès : non autorisé
Description : In the first part of this course, simple models for intrinsic and doped semiconductors are presented. These models describe the evolution of electronic populations, and serve as a basis for understanding semiconductor-based electronic devices. In a second part, the PN junction, made of two pieces of ...
Date : 04-03-2010
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Physique des semiconducteurs : Fondamentaux. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications) Droits d'accès : non autorisé
Description : Dans la première partie de ce cours, des modèles simples de semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques de type N et P sont exposés. Ces modèles basés sur l'évolution des populations électroniques permettra d'appréhender le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs. Dans une sec ...
Date : 01-04-2008
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Physique des semiconducteurs : Fondamentaux. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications)
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Specific applications of sensors for photonic and imaging. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications) Droits d'accès : non autorisé
Description : Once an object is placed in the beam of a laser diode, a part of the beam reflected by the latter is retro-injected in the active cavity of the diode and disrupts the physical properties of it. This disruption which is shown principally by a modification of the frequency of the emission power of the ...
Date : 04-03-2010
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Specific applications of sensors for photonic and imaging. (Optique Pour l'Ingénieur : Capteurs à semi-conducteurs et applications)
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