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GRISOLIA JEREMIE
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UNIT
Fabrication de diode P/N
Description
:
Cours "d'Ingénierie des matériaux, composants et systèmes" de 2ème année d'électronique de l'INSA de Toulouse. Sommaire du cours : caractérisation du substrat de départ, oxydation de masquage, photogravure n°1 (ouverture pour la diffusion de la cathode), diffusion de la cathode, désoxydation des fen ...
Date
:
19-12-2007
Description complète
Fabrication de diode P/N
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